valcom壓力傳感器工作原理分析
硅壓力計(jì)是通過雜質(zhì)擴(kuò)散在硅芯片壓力傳感部分(硅膜片)中形成的,與普通IC制造工藝類似。
當(dāng)對硅芯片施加壓力時(shí),應(yīng)變計(jì)電阻會(huì)根據(jù)偏轉(zhuǎn)而變化,并轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。 (壓阻效應(yīng))
該應(yīng)變計(jì)的特點(diǎn)是應(yīng)變系數(shù)大。 (金屬規(guī)有2~3,硅規(guī)有10~100)。
因此,可以獲得高輸出,可以制造厚膜片并提高壓力傳感器的耐壓性。
半導(dǎo)體壓力傳感器
VSW2(低壓用)等
半導(dǎo)體膜片壓力傳感器由直接與測量介質(zhì)接觸的高耐腐蝕金屬膜片(相當(dāng)于哈氏合金C-22、SUS316L等)和通過密封件檢測壓力的硅片(硅膜片)組成。硅油)使用雙隔膜系統(tǒng)。
SUS316L膜片(或哈氏合金C-22同等材料等)通過壓力入口與測量介質(zhì)直接接觸,可以穩(wěn)定地測量不浸透它的介質(zhì)(空氣、水、油等)。 [當(dāng)連接螺紋形狀為G3/8時(shí),使用O型圈(氟橡膠)密封管道。 ]
我們可以制造各種可以測量正壓、負(fù)壓、復(fù)合壓力和絕對壓力的傳感器元件。
與介質(zhì)直接接觸的受壓部件材質(zhì)相當(dāng)于哈氏合金C-22,可用SUS316L制造,因此具有優(yōu)異的耐腐蝕性。
檢測壓力的硅芯片的膜片較厚,因此具有優(yōu)異的耐壓性能。
半導(dǎo)體膜片壓力傳感器
VESW、VESX、VESY、VESZ、VHR3、VHG3、VAR3、VAG3、VPNPR、VPNPG、VNF、HS1、HV1、AS1、AV1、NS1、NV1、VESI、VESV、VSW2、VST等
將左圖所示的電阻橋粘貼在受壓部的金屬膜片的背面,將施加壓力時(shí)金屬膜片的變形量作為電壓變化進(jìn)行檢測。
由于金屬膜片表面有應(yīng)變量高的地方和應(yīng)變量少的地方,所以在四個(gè)地方粘貼了電阻,即使應(yīng)變量不均勻也能正確檢測的結(jié)構(gòu)。
沒有焊接或 O 形圈接頭,隔膜是一體式的,堅(jiān)固耐用。
可高精度、耐高溫(150℃)生產(chǎn)
應(yīng)變式壓力傳感器
VSD4、NSMS-A6VB、HSSC、HSSC-A6V、VHS、VHST、HSMC2、HSMC、VPE、VPB、VPRT、VPRTF、VPRQ、VPRQF、VPVT、VPVTF、VPVQ、VPVQF、VPRF、VFM、VF、 VFS、VTRF、VPRF2、VPRH2 等
我們的薄膜壓力傳感器是隔膜式的,使用金屬壓力表薄膜。當(dāng)從壓力入口施加壓力時(shí),膜片變形,形成在膜片上的金屬儀表薄膜變形,導(dǎo)致檢測到的電阻變化。
它提供比應(yīng)變計(jì)壓力傳感器更靈敏的輸出,并且還具有比半導(dǎo)體壓力傳感器更小的溫度系數(shù)。
由于溫度系數(shù)恒定,因此溫度特性非常好。
提供長期穩(wěn)定的輸出,幾乎不會(huì)隨著時(shí)間的推移而惡化
可耐高溫(200℃)
電壓開關(guān)2
當(dāng)有電流流向輸入端時(shí),壓力會(huì)施加到金屬量規(guī)薄膜上,導(dǎo)致失真,表現(xiàn)為輸出側(cè)電信號(hào)的變化。