用于石墨烯的便攜式電阻檢測(cè)儀EC-80P技術(shù)介紹
針對(duì)納米導(dǎo)電薄膜的方塊電阻檢測(cè)問(wèn)題,提出了基于微帶傳輸線的無(wú)損檢測(cè)方法。通過(guò)引入空氣縫隙,將待測(cè)導(dǎo)電薄膜及其襯底插入微帶線橫截面內(nèi),進(jìn)而測(cè)量微波信號(hào)的插損來(lái)獲得待測(cè)薄膜的導(dǎo)電特性。采用電磁仿真軟件和實(shí)驗(yàn)測(cè)試對(duì)該方法進(jìn)行了驗(yàn)證,結(jié)果表明:待測(cè)薄膜的方塊電阻越大,對(duì)應(yīng)的信號(hào)插損越小,從而初步證明了所提方法的可行性。
日本napson便攜式電阻檢測(cè)儀EC-80P
測(cè)量目標(biāo)
半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料相關(guān)(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
硅基外延,離子與半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*請(qǐng)與我們聯(lián)系)
測(cè)量尺寸
無(wú)論樣品大小和形狀如何均可進(jìn)行測(cè)量(但是,大于20mmφ且表面平坦)
測(cè)量范圍
[電阻] 1m至200Ω? cm
(*所有探頭類型的總量程/厚度500um)
[抗剪強(qiáng)度] 10m至3kΩ / sq
(*所有探頭類型的總量程)
*有關(guān)每種探頭類型的測(cè)量范圍,請(qǐng)參閱以下內(nèi)容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至0.05Ω-cm)
(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
(5)太陽(yáng)能晶片:5至500Ω/□(0。 2至15Ω-cm)